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集成电路 |
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产品 >> 集成电路 >> 所有小类 |
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产品编号: |
SiLM2660 |
产品名称: |
电池充放电的高边NMOS驱动器 |
规 格: |
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产品备注: |
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产品类别: |
集成电路 |
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产 品 说 明 |
SiLM2660/61
适用于电池充放电的高边 NMOS 驱动器
SiLM2660/61是用于电池充电/放电系统控制的低功耗、高边N沟道FET驱动器。高边保护功能可避免系统的接地引脚断开连接,以确保电池组和主机系统之间的持续通信。SiLM2660具有额外的PFET控制输出,以允许对深度放电的电池进行低电流预充电,并且还集成了用于主机监控的电池PACK+电压检测。
独立的使能输入接口允许电池充电和放电FET分别导通和关断,为电池系统保护提供可靠性和设计灵活性。
高边NFET驱动器,具有极短的开启和关闭时间,用于迅速保护电池。
预充电PFET驱动器为深度耗尽的电池组提供电流限制的预充电功能(仅适用于SiLM2660)。
充电和放电的独立使能控制。
基于外部电容器可扩展的电荷泵,可适用多颗NFET并联驱动。
高的输入耐压值(最大100V)。
可配置的电池组电压检测功能(仅适用于SiLM2660)。
支持可配置的通用和独立充电和放电路径管理。
低功耗:正常模式:40uA;待机模式:小于10uA。
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点击数:34 录入时间:2024-08-06 【打印此页】 【关闭】 |
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